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碳化硅均流装置碳化硅均流装置碳化硅均流装置

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碳化硅MOSFET并联主动均流的研究百度学术

摘要：全球工业化水平逐步提高,传统电力电子器件受限于材料的自身因素,难以满足日益提升的要求而以碳化硅为代表的宽禁带材料和碳化硅 (SiC)MOSFET为代表的宽禁带半导体 2018年11月13日本文对 SiC MOSFET 这一种新型器件的并联均流情况进行了研究，其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试，并利用此平台随机选取了两块 SiC 碳化硅MOSFET并联均流的研究道客巴巴

大功率SiC MOSFET并联主动均流方法研究百度学术

摘要：近年来,以碳化硅 (SiC)为代表的第三代宽禁带半导体器件成为研究热点,其中SiC MOSFET以其优异的特性有望在高压、高频、高温应用中取代SiIGBT,满足更高功率密度 2014年10月31日碳化硅 (SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测碳化硅MOSFET并联均流的研究百度学术

碳化硅MOSFET并联均流的研究百度文库

碳化硅MOSFET并联均流的研究百度文库关键词：碳化硅MOSFET双脉冲测试并联均流 Key words：SiC MOSFET, Double pulse test, Current sharing 1 近年来，出现了许多新 2024年2月22日并联碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET s) 是高容量电源转换器的高效解决方案。然而，并行芯片参数或多或少的分散是不可避免的，这阈值分散演化对并联 SiC MOSFET 均流的影响 XMOL科学

碳化硅MOSFET并联均流的研究百度文库

摘要：碳化硅（SiC）材料是一种新型宽禁带半导体材料。本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究，其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试，并 2021年7月26日本次研究搭建了一个可以进行两路并联测试和适合直接测试裸片的双脉冲测试平台。并且通过此平台观察了SiC MOSFET分别在静态和动态情况下的均流情况,发现碳化硅mosfet并联均流的研究豆丁网

碳化硅MOSFET并联技术研究百度文库

2023年1月10日摘要：碳化硅功率器件具有更高的开关频率和耐压特性，为了提高碳化硅功率驱动的过流能力，同时降低引线电感，设计一个由 4 个碳化硅金属氧化物半导体场效 2019年6月11日本发明针对以上技术上的不足，提出一种新的碳化硅mosfet并联均流结构。本发明解决了传统并联碳化硅mosfet并联结构因驱动信号不一致导致的误开通问题，达一种碳化硅MOSFET的并联均流结构的制作方法 X技术网

知乎专栏随心写作，自由表达知乎

2019年10月28日北京巴威公司土耳其胡努特鲁燃煤电厂工程2×660MW；超临界机组锅炉燃烧器导向器、均流装置。巴威配土耳其胡努特鲁碳化硅均流装置上春仪

中国车用碳化硅功率模块的成长之路腾讯网

2023年8月8日中国车用碳化硅功率模块的成长之路芝能汽车出品在全球汽车电动化的浪潮下，汽车半导体领域的功率电子器件作为汽车电动化的核心部件，成为了车企和电机控制器Tire 1企业关注的热点。车用功率模块已从硅基IGBT为主的时代，开始逐步进入以碳化硅MOSFET为 2011年4月27日背景技术 [0002] 硅片是半导体，太阳能，液晶显示等行业的基础材料，分为单晶硅片和多晶硅片，其原料为单体单晶硅或多晶硅，经过铸锭炉拉成硅锭，再切成硅棒，使用线切割机加工成各个规格的硅片，半导体，太阳能电池等均以硅片作为基础载体，而碳化硅和聚乙二醇即是硅棒切割成硅片过程一种从硅片切割废砂浆中回收碳化硅和聚乙二醇切削液的方法

首次真机试验成功！这一关键设备迈向国产化碳化硅长江

3月26日，记者从中国长江电力股份有限公司（以下简称“长江电力”）获悉，公司所属白鹤滩电厂顺利完成国产碳化硅灭磁电阻试验，标志着长江电力白鹤滩电厂研制的大型机组励磁系统碳化硅灭磁电阻国产化又迈出坚实的一步。此次试验也是国产碳化硅灭磁电阻在大型机组的首次真机试验。金属氧化物避雷器 20世纪70年代以后发展起来的金属氧化物避雷器能很好地满足直流避雷器的技术性能要求，已经逐渐淘汰了传统的碳化硅有间隙避雷器而成为直流输电系统比较理想的过电压保护装置。换流站避雷器百度百科

一种降低碳化硅肖特基二极管反向漏电流的方法 X技术网

2024年5月13日 2、在现有技术中，通常采用两种常用的方法来降低碳化硅肖特基二极管的反向漏电流。一是在碳化硅外延层和肖特基金属间加入一层薄介质层，调节肖特基势垒高度，以降低碳化硅肖特基二极管的反向漏电流。2022年4月24日国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展李辰冉;谢志鹏;康国兴;安迪;魏红康;赵林分享摘要：碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。然而，由国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线

碳化硅MOSFET并联技术研究百度文库

2023年1月10日为了能与最终的应用场合保持一致，让负载上的电流可以实现双向流动，采用 H 桥拓扑结构。测试装置还需要一个同步的互补脉冲，同时具备死区调节能力，用于控制半桥的上下管开通和关断。 2 模块静态和动态均流特性双脉冲试验分为 2 种：一种是采用同步整流形 46 碳化硅MOSFET并联技术 2024年3月29日白鹤滩电厂研制的百万机组国产碳化硅灭磁电阻在与进口产品外径、内径、厚度一致的情况下，单片能容量达100千焦，远超进口碳化硅电阻单片能国产碳化硅灭磁电阻完成首次大型机组真机试验电阻新浪

一种碳化硅MOSFET的并联均流结构的制作方法 X技术网

2019年6月11日本发明涉及一种碳化硅开关器件拓扑。背景技术当前广泛使用的开关器件主要是硅基底的MOSFET和IGBT。硅基底MOSFET开关损耗低，但要做到1700V及以上耐压则导通损耗很高，IGBT导通损耗低，但由于尾流则开关损耗很高，一般不能用于很高的开关频率，如10kHz以上。而使用碳化硅基底的MOSFET开关器件，相对 2024年5月27日飞利浦这次推出的200W碳化硅SiC快充充电器将车规级标准及技术应用在其产品上，更高规格器件使用意味着更可靠的质量以及更优秀的性能表现。同时也意味着飞利浦有可能在未来USB标准往上兼容大功率产品预先做足准备。充电器具备欧标固定插头，支内置车规级碳化硅SiC MOS，飞利浦200W充电器拆解腾讯新闻

36氪首发｜推出碳化硅功率半导体“模块+”应用解决方案，「忱

2020年8月4日 36氪获悉，碳化硅 (SiC)功率半导体模块及应用解决方案提供商忱芯科技 (UniSiC)宣布完成数千万元人民币天使轮融资，本轮融资由原子创投独家投资，浦软孵化器担任独家财务顾问。本轮融资资金将主要用于产品研发、量产等方面。碳化硅MOSFET并联不均衡电流分析及调控方法近年来,硅基功率半导体器件受材料特性的限制难以满足电力电子装备的更高需求以碳化硅为代表的宽禁带功率半导体器件凭借其优异的性能,逐步应用于高频,高温和大功率电力电子领域由于商业化量产碳化硅MOSFET芯片碳化硅MOSFET并联不均衡电流分析及调控方法百度学术

国产碳化硅灭磁电阻完成首次大型机组真机试验 MSN

科技日报讯（记者何亮）3月26日，记者从中国长江电力股份有限公司（以下简称长江电力）获悉，该公司所属白鹤滩电厂顺利完成国产碳化硅灭磁 2020年7月30日 SiC碳化硅二极管浪涌电流能力的问题，可以通过外围电路来适当改善，在PFC电路中，当SiCSBD浪涌电流值不够的时候，需要为这个二极管（和电源侧的电感一起）并联硅二极管，降低浪涌电流，对SiC二极管进行保护，虽然略微增加了器件成本，但是提 SiC碳化硅二极管抗浪涌电流能力缺点及应对方式 CSDN博客

第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链

2024年4月17日 1、第三代半导体特性(1)碳化硅根据《中国战略性新兴产业：新材料(第三代半导体材料)》，与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性:①耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。知乎专栏随心写作，自由表达知乎

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一种从硅片切割废砂浆中回收碳化硅和聚乙二醇切削液的方法

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